डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
HBR20200 | SCHOTTKY BARRIER DIODE 亚微电子
HBR20200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A 200 V
175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
APPLICATIONS
高� |
Tianjin Micro Electronic |
|
HBR20200 | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
200 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
|
HBR20200C | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
200 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
|
HBR20200CR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
200 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
|
HBR20200CT | Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Rectifier
FEATURES ·Common Cathode Structure ·Low Power Loss,high Efficiency ·High Operating Junction Temperature ·Guarding for Overvoltage protection,High reliability ·100% avalanche te |
Inchange Semiconductor |
|
HBR20200F | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
200 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
|
HBR20200FR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
20(2×10)A
200 V 175 ℃ 0.75V (@Tj=125℃)
用途
z 高频开关 |
Jilin Sino |
www.DataSheet.in | 2017 | संपर्क |