HBR10200 डाटा शीट PDF( Datasheet )
डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
| भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
| HBR10200 | Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Rectifier
FEATURES ·Common Cathode Structure ·Low Power Loss/High Efficiency ·High Operating Junction Temperature ·Guarding for Overvoltage protection，High reliability ·100% avalanche te |
 Inchange Semiconductor |
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| HBR10200 | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关� |
 Jilin Sino |
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| HBR10200C | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关� |
Jilin Sino |
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| HBR10200CR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关� |
Jilin Sino |
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| HBR10200CT | Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Rectifier
FEATURES ·Common Cathode Structure ·Low Power Loss/High Efficiency ·High Operating Junction Temperature ·Guarding for Overvoltage protection，High reliability ·100% avalanche te |
Inchange Semiconductor |
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| HBR10200F | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关� |
Jilin Sino |
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| HBR10200FR | SCHOTTKY BARRIER DIODE 肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR10200
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IF(AV) VRRM Tj VF(max)
10（2×5）A
200 V 175 ℃ 0.75V （@Tj=125℃）
用途
z 高频开关� |
Jilin Sino |
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