डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
3DD4515 | Silicon NPN Power Transistor isc Silicon NPN Power Transistor
3DD4515
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 400V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.0V(Max) @IC=10A ·Minimum Lot-to-Lot var |
Inchange Semiconductor |
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3DD4515 | MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R
NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
3DD4515
主要参数
IC VCEO PC(TO-3PN(B))
MAIN CHARACTERISTICS
15A 400V 120W
封装 Package
用途
z z z z z 节能� |
JILIN SINO |
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3DD4515A1 | Silicon NPN Transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4515 A1
○R
产品概述
3DD4515 A1 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高 |
Huajing Microelectronics |
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3DD4515A3 | Silicon NPN bipolar transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD4515 A3
○R
产品概述
3DD4515 A3 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高 |
Huajing Microelectronics |
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3DD4515A6 | Silicon NPN Transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4515 A6
○R
产品概述
3DD4515 A6 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高 |
Huajing Microelectronics |
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3DD4515B1D-H | Silicon NPN bipolar transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4515 B1D-H
○R
产品概述
3DD4515 B1D-H 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该 产品采用平面工艺,分压环 终端结构和少子寿命控制 技术,� |
Huajing Microelectronics |
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3DD4515E1-H | Silicon NPN bipolar transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4515 E1-H
○R
产品概述
3DD4515 E1-H 是 硅 NPN 型功率开关晶体管,该 产品采用平面工艺,分压环 终端结构和少子寿命控制 技术,� |
Huajing Microelectronics |
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