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IPC60N04S4-06 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Power-Transistor - Infineon

भाग संख्या IPC60N04S4-06
समारोह Power-Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Infineon 
लोगो Infineon लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IPC60N04S4-06?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IPC60N04S4-06 pdf
IPC60N04S4-06
Parameter
Symbol
Conditions
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case R thJC -
min.
Values
typ.
Unit
max.
- - 2.4 K/W
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V (BR)DSS V GS=0 V, I D= 1 mA
40
-
-V
Gate threshold voltage
V GS(th) V DS=V GS, I D= 30µA 2.0 3.0 4.0
Zero gate voltage drain current
I DSS
V DS=40 V, V GS=0 V,
T j=25 °C
-
0.01
1 µA
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
V DS=18 V, V GS=0 V,
T j=85 °C2)
I GSS
V GS=20 V, V DS=0 V
R DS(on) V GS=10 V, I D= 30A
-
-
-
1 20
- 100 nA
5.4 6.0 m
Rev. 1.0
page 2
2015-05-22

विन्यास 9 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IPC60N04S4-06Power-TransistorInfineon
Infineon


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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