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IPB80N08S4-06 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Power-Transistor - Infineon

भाग संख्या IPB80N08S4-06
समारोह Power-Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Infineon 
लोगो Infineon लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IPB80N08S4-06?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IPB80N08S4-06 pdf
IPB80N08S4-06
IPI80N08S4-06, IPP80N08S4-06
Parameter
Symbol
Conditions
min.
Values
typ.
Unit
max.
Thermal characteristics2)
Thermal resistance, junction - case R thJC
Thermal resistance, junction -
ambient, leaded
R thJA
-
-
- - 1.0 K/W
- - 62
SMD version, device on PCB
R thJA
minimal footprint
6 cm2 cooling area3)
-
-
- 62
- 40
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
V (BR)DSS V GS=0V, I D= 1mA
V GS(th) V DS=V GS, I D=90µA
I DSS
V DS=80V, V GS=0V
V DS=80V, V GS=0V,
T j=125°C2)
I GSS
V GS=20V, V DS=0V
R DS(on) V GS=10V, I D=80A
V GS=10V, I D=80A,
SMD version
80 -
-V
2.0 3.0 4.0
- 0.01 1 µA
- 5 100
- - 100 nA
- 5.0 5.8 mW
- 4.7 5.5
Rev. 1.0
page 2
2014-06-20

विन्यास 9 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IPB80N08S4-06Power-TransistorInfineon
Infineon


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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