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IPB80N06S2L-H5 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Power-Transistor - Infineon Technologies

भाग संख्या IPB80N06S2L-H5
समारोह Power-Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Infineon Technologies 
लोगो Infineon Technologies लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IPB80N06S2L-H5?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IPB80N06S2L-H5 pdf
Parameter
Symbol
Conditions
Thermal characteristics2)
Thermal resistance, junction - case R thJC
Thermal resistance, junction -
ambient, leaded
R thJA
SMD version, device on PCB
R thJA
minimal footprint
6 cm2 cooling area5)
IPB80N06S2L-H5
IPP80N06S2L-H5
min.
Values
typ.
Unit
max.
- - 0.5 K/W
- - 62
- - 62
- - 40
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
V (BR)DSS V GS=0 V, I D= 1 mA
V GS(th) V DS=V GS, I D=250 µA
55
1.2
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
I DSS
V DS=55 V, V GS=0 V,
T j=25 °C
V DS=55 V, V GS=0 V,
T j=125 °C2)
I GSS
V GS=20 V, V DS=0 V
R DS(on) V GS=4.5 V, I D=80 A
V GS=4.5 V, I D=80 A,
SMD version
-
-
-
-
-
-
1.6
0.01
1
1
5.0
4.7
-V
2.0
1 µA
100
100 nA
6.5 m
6.2
Drain-source on-state resistance
RDS(on) V GS=10 V, I D=80 A
- 4.4 5.0 m
V GS=10 V, I D=80 A,
SMD version
-
4.1 4.7
Rev. 1.0
page 2
2005-12-27

विन्यास 8 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IPB80N06S2L-H5Power-TransistorInfineon Technologies
Infineon Technologies


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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