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D111 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistor - INCHANGE

भाग संख्या D111
समारोह Silicon NPN Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स INCHANGE 
लोगो INCHANGE लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=D111?> डेटा पत्रक पीडीएफ

D111 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD111
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 50mA ; RBE=
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 50mA ; IC= 0
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 1A
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 5A; IB= 1A
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 50V; IE= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
hFE-1
DC Current Gain
hFE-2
DC Current Gain
fT Current-Gain—Bandwidth Product
COB Output Capacitance
VEB= 10V; IC=0
IC= 1A; VCE= 5V
IC= 5A; VCE= 5V
IC= 1A ; VCE= 10V
IE= 0; VCB= 50V; f= 1MHz
MIN TYP. MAX UNIT
80 V
10 V
1.5 V
2.5 V
0.5 mA
10 mA
30 300
10
1 MHz
200 pF
‹ hFE-2 Classifications
ROY
30-90 50-150 100-300
isc websitewww.iscsemi.cn
2

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
D110277(D1102xx) D-Subminiature AccessoriesITT
ITT
D110278(D1102xx) D-Subminiature AccessoriesITT
ITT


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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