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ULN2003ADR डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Seven Darlington Arrays - TGS

भाग संख्या ULN2003ADR
समारोह Seven Darlington Arrays
मैन्युफैक्चरर्स TGS 
लोगो TGS लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=ULN2003ADR?> डेटा पत्रक पीडीएफ

ULN2003ADR pdf
双极电路
CS2003CP
3电特性
3. 1、极限参数
除非另有规定,Tamb= 25
参数
符号
范围
单位
连续输出电压
输出电流
输入电压
钳位二极管反向电压
钳位二极管正向电流
功率损耗 DIP16
SOP16
VCE (SUS)
IOUT
VIN
VR
IF
PD
-0.550
500
-0.530
50
500
1.47
0.54/0.625(注)
V
mA/ch
V
V
mA
W
工作温度范围
Topr
-4085
存储温度
Tstg
-55150
注:安装在 30mm×30mm×1.6mm 50%铜的环氧树脂板上。
3. 2、推荐使用条件
Tamb=-4085
参数名称 符号
使用条件
输出保持电压
输出电流
输入电压
输入电压
(输出开)
输入电压
(输出关)
钳位二极管
反向电压
钳位二极管
正向电流
功率损耗
VCE (SUS)
IOUT
VIN
VIN (ON)
VIN (OFF)
VR
IF
PD
Tpw=25ms 占空比为
7 通道 10
Tamb=85℃ 占空比为
Tj=12050
IOUT =400mA
hFE =800
Tamb=85
Tamb=85℃(注)
最小
0
规范值
典型
-
最大
50
0 370
0 130
0 24
2.8 24
0 0.7
- - 50
- - 350
- - 0.76
注:安装在 30mm×30mm×1.6mm 50%铜的环氧树脂板上。
单位
V
mA
V
V
V
V
mA
W
版本:2007-11-A
无锡华润矽科微电子有限公司
2页 共9

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
ULN2003ADRSeven Darlington ArraysTGS
TGS
ULN2003ADR2GDarlington Transistor ArraysON Semiconductor
ON Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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