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D6849 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - 2SD6849 - Inchange Semiconductor

भाग संख्या D6849
समारोह 2SD6849
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=D6849?> डेटा पत्रक पीडीएफ

D6849 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SD649
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 10mA; IC= 0
5V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB=B 1A
7.0 V
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 3A; IB=B 1A
1.5 V
VCB= 750V ; IE= 0
100 μA
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 1500V ; IE= 0
1 mA
hFE DC Current Gain
.iscsemi.cntf FallTime
wwwtstg Storage Time
IC= 3A; VCE= 10V
IC= 3A, IBend= 1A, LB= 20μH
4 12
1 μs
13 μs
www.DataSheet4U.com
isc Websitewww.iscsemi.cn
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
D68492SD6849Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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