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D536 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - 2SD536 - Inchange Semiconductor

भाग संख्या D536
समारोह 2SD536
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=D536?> डेटा पत्रक पीडीएफ

D536 pdf
Inchange Semiconductor
Silicon NPN Power Transistors
CHARACTERISTICS
Tj=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=100mA ;IB=0
V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=0.1mA ;IE=0
V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage
IE=0.1mA ;IC=0
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=1A
VBEsat Base-emitter saturation voltage
IC=5A; IB=1A
ICBO Collector cut-off current
VCB=200V; IE=0
IEBO Emitter cut-off current
VEB=5V; IC=0
hFE DC current gain
IC=5A ; VCE=5V
Product Swpwewc.DifatiacSaheteito4Un.com
2SD536
MIN TYP. MAX UNIT
200 V
200 V
5V
1.0 V
1.5 V
0.1 mA
0.1 mA
50
2

विन्यास 3 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
D536 2SD536Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
D53874-Way Combiner/DividerWerlatone
Werlatone


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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