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D1195 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - 2SD1195 - Sanyo Semicon Device

भाग संख्या D1195
समारोह 2SD1195
मैन्युफैक्चरर्स Sanyo Semicon Device 
लोगो Sanyo Semicon Device लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=D1195?> डेटा पत्रक पीडीएफ

D1195 pdf
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Parameter
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
2SB885/2SD1195
Symbol
Conditions
V(BR)CBO IC=(–)5mA, IE=0
V(BR)CEO IC=(–)50mA, RBE=
ton See specified Test Circuit
tstg See specified Test Circuit
tf See specified Test Circuit
www.DataSheet4U.com
Ratings
min typ
(–)110
(–)100
(0.7)
0.6
(1.3)
4.8
(1.5)
1.6
max
Unit
V
V
µs
µs
µs
µs
µs
µs
Switching Time Test Circuit
PW=50µs, Duty Cycle1%
500IB1= --500IB2=IC=2A
OUTPUT
INPUT
50
RB
VR
TUT
RL
25
Electrical Connection
C
C
B
6k200
2SB885
E
B
6k200
2SD1195
E
+
100µF
VBE= --5V
+
470µF
VCC=50V
(For PNP, the polarity is reversed.)
--10
From top
--50mA
--45mA
--8 --40mA
--35mA
--30mA
--6 --25mA
--20mA
--15mA
--4
IC -- VCE
2SB885
--10mA
--5mA
--2
0 IB=0
0 --1 --2 --3 --4 --5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR08593
--8
From top
IC -- VCE
2SB885
--5.0mA
--4.5mA
--6 --4.0mA
--3.5mA
--3.0mA
--2.5mA
--4 --2.0mA
--1.5mA
--1.0mA
--2 --0.5mA
0 IB=0
0 --1 --2 --3 --4 --5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR08595
10
From top
10mA
9mA
8 8mA
7mA
6mA
6 5mA
4
IC -- VCE
4mA
2SD1195
3mA
2mA
1mA
2
0 IB=0
012345
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR08594
8
From top
IC -- VCE
2SD1195
1000µA
900µA
6 800µA
700µA
600µA
500µA
4
400µA
2 300µA
200µA
0 IB=0
0 2 4 6 8 10
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR08596
No.927–2/4

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
D11902SD1190Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
D11912SD1191Sanyo
Sanyo


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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