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8N60 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange

भाग संख्या 8N60
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange 
लोगो Inchange लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=8N60?> डेटा पत्रक पीडीएफ

8N60 pdf
INCHANGE Semiconductor
iwswwc.DaNtaS-hCeet4hU.acomnnel Mosfet Transistor
isc Product Specification
8N60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 0.25mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
VDS= VGS; ID= 0.25mA
VGS= 10V; ID= 3.75A
VGS= ±20V; VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VSD Forward On-Voltage
VDS= 600V; VGS= 0
IS= 7.5A; VGS= 0
MIN MAX UNIT
600 V
24V
1.2 Ω
±100 nA
1 μA
1.4 V
·
isc Websitewww.iscsemi.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
8N60N-Channel Power MOSFETnELL
nELL
8N60N-CHANNEL MOSFETCHONGQING PINGYANG
CHONGQING PINGYANG


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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