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900N20N डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Power Transistor - Infineon

भाग संख्या 900N20N
समारोह Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Infineon 
लोगो Infineon लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=900N20N?> डेटा पत्रक पीडीएफ

900N20N pdf
Parameter
Symbol Conditions
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case R thJC
Thermal resistance,
junction - ambient
R thJA
6 cm2 cooling area3)
BSZ900N20NS3 G
min.
Values
typ.
Unit
max.
- - 2.5 K/W
- - 60
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA
V GS(th) V DS=V GS, I D=30 µA
I DSS
V DS=160 V, V GS=0 V,
T j=25 °C
200
2
-
-
3
0.1
-V
4
1 µA
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Gate resistance
Transconductance
V DS=160 V, V GS=0 V,
T j=125 °C
I GSS
V GS=20 V, V DS=0 V
R DS(on) V GS=10 V, I D=7.6 A
RG
g fs
|V DS|>2|I D|R DS(on)max,
I D=7.6 A
-
-
-
-
8
10 100
1 100 nA
77 90 mW
2.2 - W
16 - S
3) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
Rev. 2.2
page 2
2011-07-14

विन्यास 9 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
900N20NPower TransistorInfineon
Infineon


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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