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900N15N डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Power Transistor - Infineon

भाग संख्या 900N15N
समारोह Power Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Infineon 
लोगो Infineon लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=900N15N?> डेटा पत्रक पीडीएफ

900N15N pdf
Parameter
Symbol Conditions
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance,
junction - ambient
R thJC
R thJA
6 cm2 cooling area3)
BSZ900N15NS3 G
min.
Values
typ.
Unit
max.
- - 3.3 K/W
- - 60
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Zero gate voltage drain current
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Gate resistance
Transconductance
V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA
V GS(th) V DS=V GS, I D=20 µA
I DSS
V DS=120 V, V GS=0 V,
T j=25 °C
V DS=120 V, V GS=0 V,
T j=125 °C
I GSS
R DS(on)
V GS=20 V, V DS=0 V
V GS=10 V, I D=10 A
V GS=8 V, I D=5 A
RG
g fs
|V DS|>2|I D|R DS(on)max,
I D=10 A
150
2
-
-
-
-
-
-
6
-
3
0.01
10
1
74
75
1.7
12
-V
4
1 µA
100
100 nA
90 mΩ
91
-Ω
-S
3) see figure 3
Rev. 2.1
page 2
2011-05-16

विन्यास 9 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
900N15NPower TransistorInfineon
Infineon


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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