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IXKC15N60C5 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Power MOSFET - IXYS

भाग संख्या IXKC15N60C5
समारोह Power MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स IXYS 
लोगो IXYS लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IXKC15N60C5?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IXKC15N60C5 pdf
Advanced Technical Information
Source-Drain Diode
Symbol Conditions
Characteristic Values
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
IS VGS = 0 V
VSD IF = 12 A; VGS = 0 V
trr
QRM IF = 12 A; -diF /dt = 100 A/µs; VR = 400 V
IRM
12
0.9 1.2
A
V
390 ns
7.5 µC
38 A
Component
Symbol Conditions
TVJ
Tstg
VISOL
FC
operating
storage
RMS leads-to-tab, 50/60 Hz, f = 1 minute
mounting force
Maximum Ratings
-55...+150
-55...+150
°C
°C
2500 V~
11-65 / 2.4-11 N/lb
Symbol Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
RthCH
Weight
with heatsink compound
0.35 K/W
2.7 g
IXKC 15N60C5
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2009 IXYS All rights reserved
20090209b
2-4

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IXKC15N60C5Power MOSFETIXYS
IXYS


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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