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IRF620 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel Mosfet Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या IRF620
समारोह N-Channel Mosfet Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IRF620?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IRF620 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
IRF620
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 0.25mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
VDS= VGS; ID= 0.25mA
VGS= 10V; ID= 2.5A
VGS= ±20V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VDS= 200V; VGS=0
VSD Forward On-Voltage
IS= 5A; VGS=0
Ciss Input Capacitance
Coss Output Capacitance
Crss Reverse Transfer Capacitance
VDS=25V,VGS=0V,
F=1.0MHz
MIN MAX UNIT
200 V
24V
0.8 Ω
±500
nA
250 uA
1.8 V
600 pF
300 pF
80 pF
·SWITCHING CHARACTERISTICS (TC=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
Td(on) Turn-on Delay Time
Tr Rise Time
Td(off) Turn-off Delay Time
VDD=100V,ID=5.0A
VGS=10V,RGEN=9.1Ω
RGS=9.1Ω
Tf Fall Time
MIN TYP MAX UNIT
40 ns
60 ns
100 ns
60 ns
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IRF620N-Channel Mosfet TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
IRF620N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORSSTMicroelectronics
STMicroelectronics


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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