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IXKP13N60C5M डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - CoolMOS Power MOSFET - IXYS

भाग संख्या IXKP13N60C5M
समारोह CoolMOS Power MOSFET
मैन्युफैक्चरर्स IXYS 
लोगो IXYS लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=IXKP13N60C5M?> डेटा पत्रक पीडीएफ

IXKP13N60C5M pdf
Source-Drain Diode
Symbol Conditions
Characteristic Values
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
IS VGS = 0 V
VSD IF = 6.6 A; VGS = 0 V
trr
QRM IF = 6.6 A; -diF/dt = 100 A/µs; VR = 400 V
IRM
6.6 A
0.9 1.2
V
300 ns
3.9 µC
26 A
Component
Symbol Conditions
TVJ operating
Tstg
Md mounting torque
Symbol Conditions
RthCH
RthJA
Weight
with heatsink compound
thermal resistane juntion - ambient
Maximum Ratings
-55...+150
-55...+150
°C
°C
0.4 ... 0.6 Nm
Characteristic Values
min. typ. max.
0.50 K/W
80 K/W
2g
IXKP 13N60C5M
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2009 IXYS All rights reserved
20090209d
2-4

विन्यास 4 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
IXKP13N60C5MCoolMOS Power MOSFETIXYS
IXYS


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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