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8N18 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 8N18
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=8N18?> डेटा पत्रक पीडीएफ

8N18 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
isc Product Specification
8N18
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID=1mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VSD Diode Forward On-Voltage
VDS= VGS; ID=1mA
IS=4A ;VGS= 0
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
VGS= 10V; ID=4A
VGS= ±20V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VDS= 145V; VGS= 0
Ciss Input Capacitance
Crss Reverse Transfer Capacitance
Coss Output Capacitance
VDS=25V;
VGS=0V;
fT=1MHz
tr Rise Time
td(on)
Turn-on Delay Time
tf Fall Time
td(off)
Turn-off Delay Time
VGS=10V;
ID=4A;
VDD=100V;
RL=50Ω
MIN TYPE MAX UNIT
180 V
2.0 4.0 V
1.4 V
0.5 Ω
±100 nA
1 µA
750
100 pF
250
150
40
ns
105
135
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
8N10PN-CHANNEL MOSFETCHONGQING PINGYANG
CHONGQING PINGYANG
8N18N-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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