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4N35 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 4N35
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=4N35?> डेटा पत्रक पीडीएफ

4N35 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
isc Product Specification
4N35
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VSD Diode Forward On-Voltage
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
CONDITIONS
VGS= 0; ID= 250µA
VDS= VGS; ID=1mA
IS=4A ;VGS= 0
VGS= 10V; ID=2A
VGS= ±30V;VDS= 0
VDS= 350V; VGS= 0
MIN TYPE MAX UNIT
350 V
2.0 4.0 V
1.4 V
2.0 Ω
±100 nA
10 µA
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
4N30STANDARD THRU HOLE CASE 730A-04Motorola  Inc
Motorola Inc
4N30PHOTO TRANSISTOR (AC LINE/DIGITAL LOGIC ISOLATOR)Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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