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8N55 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - N-Channel MOSFET Transistor - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 8N55
समारोह N-Channel MOSFET Transistor
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=8N55?> डेटा पत्रक पीडीएफ

8N55 pdf
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25)
isc Product Specification
8N55
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID=250µA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
VSD Diode Forward On-Voltage
VDS= VGS; ID=1m A
IS=8A ;VGS= 0
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
VGS= 10V; ID=4A
VGS= ±20V;VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VDS= 550V; VGS= 0
MIN TYPE MAX UNIT
550 V
2.0 4.5 V
2.0 V
1.5 Ω
±100 nA
200 µA
isc websitewww.iscsemi.cn
2 isc & iscsemi is registered trademark

विन्यास 2 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
8N50N-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
8N50N-CHANNEL POWER MOSFETUnisonic Technologies
Unisonic Technologies


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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